应变驱动的 YPdBi 薄膜中拓扑非平庸性的涌现
材料科学
2021-01-25 v3 超导电性
摘要
Half-Heusler 化合物展现出重费米子行为、非常规超导性和磁性等丰富的涌现性质。其中若干化合物被预测具有拓扑非平庸的电子结构。值得注意的是，近期理论研究表明，通过应变工程可在原本平庸的 Half-Heusler 体系中诱导出非平庸的拓扑表面态。本文利用磁输运测量和基于第一性原理的 DFT 模拟，证明了在 (100) MgO 上生长的 [110] 取向 YPdBi 应变薄膜上存在拓扑表面态。这些拓扑表面态出现于原本平庸的半金属中，纯粹由应变驱动。此外，我们在这些应变薄膜中观察到超导性的 onset，凸显了构建拓扑超导态的可能性。我们的结果证明了应变在薄膜体系中介导新型拓扑态以开发下一代自旋电子器件的关键作用。
引用
@article{arxiv.2009.03018,
title = {Strain driven emergence of topological non-triviality in YPdBi thin films},
author = {Vishal Bhardwaj and Anupam Bhattacharya and Shivangi Srivastava and Vladimir V. Khovaylo and Jhuma Sannigrahi and Niladri Banerjee and Brajesh K. Mani and Ratnamala Chatterjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.03018},
year = {2021}
}
备注
20 pages, 5 Figures