从光致寿命变化揭示 Ta2NiSe5 中的潜在相互作用
强关联电子
2022-10-05 v1
摘要
我们提出了一种通用方法，通过对候选激子绝缘体 Ta2NiSe5 的理论多体模拟与时间分辨和角分辨光电子能谱（TR-ARPES）瞬态响应的比较分析，来量化光掺杂绝缘体中电子与晶格自由度的相互作用。我们的分析表明电子-电子相互作用主导于电子-声子相互作用。特别地，对 TRARPES 谱的详细分析使得能够将主导的展宽（电子寿命）效应与小得多的带隙重整化清晰分离。理论计算表明，观测到的强谱展宽源于光激发粒子-空穴对的电子散射，而无法在电子-声子相互作用主导的模型中得到解释。我们证明，较弱的次主导带隙重整化的幅度对高温态下半导体/半金属转变的距离敏感，这可解释不同 TR-ARPES 实验之间明显的矛盾。此处给出的分析表明，电子-电子相互作用在稳定绝缘态中起着至关重要的作用（尽管未必是唯一的）。
引用
@article{arxiv.2112.06298,
title = {Unveiling the underlying interactions in Ta2NiSe5 from photo-induced lifetime change},
author = {Denis Golez and Sydney K. Y. Dufresne and Min-Jae Kim and Fabio Boschini and Hao Chu and Yuta Murakami and Giorgio Levy and Arthur K. Mills and Sergey Zhdanovich and Masahiko Isobe and Hidenori Takagi and Stefan Kaiser and Philipp Werner and David J. Jones and Antoine Georges and Andrea Damascelli and Andrew J. Millis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.06298},
year = {2022}
}