Fe2VAl Heusler 化合物中带隙的意外增大
材料科学
2020-03-09 v1
摘要
了解材料的电子结构对于能源应用中的性能解释与替代方案提出至关重要。热电应用材料通常为小带隙半导体，且应具有较高的热电优值 ZT。尽管 Fe2VAl Heusler 化合物具有不错的 ZT，但其导电性质（半金属或半导体）尚未明确，尤其在低温下。本文中，我们将 DFT 计算聚焦于温度对 Fe2VAl 带隙的影响。与通常观察相反，我们表明温度升高以及热激活 Al/V 反位缺陷（实验已观测到）的形成均会打开带隙。这一反常行为是调和所有使用标准 GGA 泛函对 Fe2VAl 化合物带隙测量的关键，并可能成为改善该类材料热电性质的有效途径。
引用
@article{arxiv.2003.03166,
title = {Unexpected band gap increase in the Fe2VAl Heusler compound},
author = {A. Berche and M. Talla Noutack and M. -L. Doublet and P. Jund},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.03166},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 5 figures