二维碳基杂化材料 XC (X = Si, Ge, Sn) 中的电子-声子动力学
材料科学
2019-02-13 v1
摘要
在 ab initio 微扰理论框架下研究了 SiC、GeC 和 SnC 杂化材料中电子-声子（e-ph）耦合存在的影响。电子带隙的热依赖显示 SiC 和 GeC 半导体呈正常单调减小，而 SnC 表现出反常行为。评估了电子线宽，并确定了声学声子模与光学声子模对自能虚部的贡献。发现 e-ph 散射速率在 SiC 中总体由面外声学横波模 ZA 控制，而在 GeC 中 ZA 与 ZO 均占主导。在 SnC 中，面外横波光学模 ZO 最为主导。光激发电子的弛豫寿命表明，热化在 SiC、GeC 和 SnC 中分别发生于 90 fs、100 fs 和 120 fs。本研究无需经验数据，恰当地描述了日照后的亚皮秒时间尺度。结果使所研究的结构适用于利用二维材料提供低成本、高性能的光通信与监测应用。
引用
@article{arxiv.1902.04530,
title = {Electron-phonon dynamics in 2D carbon based-hybrids XC (X = Si, Ge, Sn)},
author = {L. B. Drissi and N. B-J. Kanga and S. Lounis and F. Djeffal and S. Haddad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.04530},
year = {2019}
}