石墨烯σ带中的强电子-声子耦合
介观与纳米尺度物理
2017-02-28 v1
摘要
对石墨烯中电子-声子耦合的第一性原理研究预测σ带具有高耦合强度，λ值高达0.9。在σ带顶部附近，发现λ约为0.7。该值与最近角分辨光发射观察到的σ带色散中的扭折一致。虽然σ带的光发射强度受子晶格干涉的矩阵元强烈影响，这些效应在取自第一和相邻布里渊区的数据中有显著差异。这可用于解开矩阵元与电子-声子耦合的影响。使用Kramers-Kronig变换对实验确定的复自能的严格分析进一步支持将观察到的扭折归因于强电子-声子耦合，并给出耦合常数0.6(1)，与计算极好一致。
引用
@article{arxiv.1607.00939,
title = {Strong electron-phonon coupling in the sigma band of graphene},
author = {Federico Mazzola and Thomas Frederiksen and Thiagarajan Balasubramanian and Philip Hofmann and Bo Hellsing and Justin W. Wells},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.00939},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 3 figures