准自由站立石墨烯中的电子 - 声子耦合

准自由站立单层石墨烯可通过在外延石墨烯与衬底晶体之间插入氧或氢等物种来制备。如果石墨烯确实与衬底解耦，人们预期会观察到相似的电子色散和多体效应，而与衬底及用于实现解耦的材料无关。在此，我们研究了两种不同类型的准自由站立单层石墨烯中的电子 - 声子耦合：一种是通过氢插入与 SiC 解耦，另一种是通过氧插入与 Ir 解耦。这两个系统显示出相似的自能总体行为，以及费米能级附近能带的微弱重正化。研究发现电子 - 声子耦合足够弱，使得通过重正化精确确定耦合常数 $\lambda$ 变得困难。两个系统的 $\lambda$ 估计值均为 0.05(3)。