GaTe电子结构的角分辨光子能谱研究与第一性原理计算
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们采用局域密度泛函理论中的数值原子轨道方法计算了GaTe的电子能带结构。此外，通过角分辨光子能谱测定了GaTe Brillouin zone various 方向上的价带色散。沿这些方向，计算得到的价带结构与实验测得的价带色散良好一致。已确立GaTe为直带隙半导体，带隙位于Z点，即垂直于层状方向的Brillouin zone边缘处。价带最高能点显示出显著的p样行为，具有显著的负离子贡献。导带最低能点来源于s-p样阳离子和p样阴离子轨道的可比贡献。自旋轨道相互作用似乎特别影响了位于Γ点的上层价带的色散和结合能。由于自旋轨道作用，上层p_z价带与更深而更平坦的p_x-p_y带的杂化受到偏好，且由于p_x-p_y带向上移动，Γ点的价带最低能点被提升至费米能级附近。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0110060,
title = {Angle-resolved photoemission study and first principles calculation of the electronic structure of GaTe},
author = {J. F. Sanchez-Royo and J. Pellicer-Porres and A. Segura and V. Munoz-Sanjose and G. Tobias and P. Ordejon and E. Canadell and Y. Huttel},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110060},
year = {2009}
}
备注
7 text pages, 6 eps figures, submitted to PRB