h-BN 覆盖 MoS2 异质结构薄膜晶体管的气体传感
介观与纳米尺度物理
2023-07-19 v1 材料科学
摘要
我们展示了利用覆盖薄层六方氮化硼（h-BN）的二硫化钼（MoS2）薄膜晶体管进行选择性气体传感。电阻变化被用作传感参数来检测诸如乙醇、乙腈、甲苯、氯仿和甲醇等化学蒸气。研究发现，h-BN 介电钝化层不会阻碍通过有源 MoS2 薄膜沟道中源-漏电流变化进行的气体检测。在 MoS2 薄膜气体传感器设计中使用 h-BN 覆盖层（厚度 H=10 nm）提高了器件稳定性，并防止了因环境和化学暴露引起的器件退化。所得结果对于范德瓦耳斯材料在化学和生物传感中的应用具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1507.00308,
title = {Gas Sensing with h-BN Capped MoS2 Heterostructure Thin Film Transistors},
author = {G. Liu and S. L. Rumyantsev and C. Jiang and M. S. Shur and A. A. Balandin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.00308},
year = {2023}
}
备注
3 pages; 4 figures