纳米尺度互连技术中Cu/Ta界面电子透射的计算及其对电导率的影响
介观与纳米尺度物理
2009-11-30 v2 材料科学
摘要
纳米尺度金属互连中的电阻率增大是集成电路性能的一个限制因素。本文计算了铜互连与其阻挡层（此处为钽）界面处的电子散射和透射。我们还提出了一个半经典模型来预测这种散射的技术影响，并发现阻挡层会显著降低电导率，这与先前发表的测量结果一致。
引用
@article{arxiv.0907.2999,
title = {Calculation of Cu/Ta interface electron transmission and effect on conductivity in nanoscale interconnect technology},
author = {Baruch Feldman and Scott T. Dunham},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.2999},
year = {2009}
}
备注
To appear in Appl. Phys. Lett., Nov. 2009. Replaced with version accepted for publication, clarifies discussion of semiclassical model. Conclusions unchanged