高度微缩钌互连中的有限尺寸效应
材料科学
2018-02-23 v2
摘要
钌（Ru）已被视为取代 VLSI 电路中基于 Cu 互连的候选材料。本文提出一种预测（Ru）互连电阻率的方法。首先，采用半经典 Mayadas-Shatzkes（MS）方法对 Ru 薄膜电阻率随膜厚的依赖关系建模。由此获得的拟合参数随后作为纳米线修正 MS 模型的输入以计算线电阻率。预测值与实验电阻率吻合在约 10% 以内。结果进一步表明，晶界散射是微缩 Ru 互连中的主导散射机制。
引用
@article{arxiv.1712.03859,
title = {Finite Size Effects in Highly Scaled Ruthenium Interconnects},
author = {Shibesh Dutta and Kristof Moors and Michiel Vandemaele and Christoph Adelmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.03859},
year = {2018}
}
备注
4 pages. 2 figures