面向超越 Cu 的后段互连微缩的拓扑半金属
介观与纳米尺度物理
2021-03-22 v1 材料科学
摘要
金属互连微缩中的电阻瓶颈呼唤新型互连材料。本文探索拓扑半金属作为一种潜在解决方案。在回顾拓扑半金属用于后段互连（BEOL）的理想性质后，我们以 CoSi 为例展示其电阻-面积积随微缩下降，并提供材料搜索指南。
引用
@article{arxiv.2103.10505,
title = {Topological Semimetals for Scaled Back-End-Of-Line Interconnect Beyond Cu},
author = {Ching-Tzu Chen and Utkarsh Bajpai and Nicholas A. Lanzillo and Chuang-Han Hsu and Hsin Lin and Gengchiau Liang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.10505},
year = {2021}
}
备注
4 pages, 12 figures