基于第一性原理的拓扑半金属
介观与纳米尺度物理
2019-09-04 v1 材料科学
摘要
我们综述了在理解和预测新型拓扑半金属方面的近期理论进展。拓扑半金属定义了一类无带隙电子相,表现出拓扑稳定的能带交叉。不同类型的拓扑半金属可基于能带交叉的简并度、其余维(例如点或线节点),以及稳定能带交叉所依赖的晶体空间群对称性加以区分。能带交叉附近的色散是进一步的判别特征。这些性质产生了范围广泛的独特半金属相,如 Dirac 或 Weyl 半金属、点或线节点半金属,以及 I 型或 II 型半金属。在本综述中,我们给出各类拓扑半金属的一般描述,重点强调由第一性原理计算提出的材料实现。综述了研究拓扑无带隙电子相的概念框架,特别关注能带交叉的对称性要求,并阐明了不同拓扑半金属家族之间的关系。除范式性的 Dirac 和 Weyl 半金属外,我们特别关注较新的拓扑半金属例子,包括 nodal line 半金属、多折费米子半金属、三重点半金属。对其表面态性质、对外场响应的关注较少,近期实验进展亦着墨不多。
引用
@article{arxiv.1810.08186,
title = {Topological Semimetals from first-principles},
author = {Heng Gao and Jörn W. F. Venderbos and Youngkuk Kim and Andrew M. Rappe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.08186},
year = {2019}
}
备注
29 pages, 11 figures; (short) review article for Annual Reviews of Materials Research; comments are most welcome