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拓扑半金属中的非量子化反常

强关联电子 2021-11-05 v2 介观与纳米尺度物理 高能物理 - 理论

摘要

拓扑半金属是一类新的金属材料,存在于通常对应于绝缘体或具有零 Luttinger 体积的补偿性偶然半金属带的带填充处。它们的金属性源于动量空间与晶体对称性的非平庸拓扑,其中拓扑电荷可被赋予点状能带接触节点,阻止能隙打开,除非保护性的晶体对称性被破坏。然而,这些拓扑电荷是由非相互作用的能带本征态定义的,这就提出了拓扑半金属的物理学可能被电子-电子相互作用定性地修正的可能性。在此我们提出以下问题:是什么使得拓扑半金属超越能带理论而呈现非平庸?或者,强电子-电子相互作用能否在不破坏保护性对称性或不引入拓扑序的情况下,在拓扑半金属中打开能隙?我们证明答案通常是否定的,而阻止它的是其拓扑响应,或量子反常。虽然在磁性 Weyl 半金属的情形中这已为人熟知,其拓扑响应以反常霍尔效应的形式出现,但在其他类型拓扑半金属中的类似响应则更为微妙,并涉及晶体对称性以及电磁规范场。在物理上,这些响应可被探测为在某些规范缺陷上诱导的分数对称性电荷。我们详细讨论了 I 型 Dirac 半金属和时间反演不变的 Weyl 半金属的情形。对于 I 型 Dirac 半金属,我们还表明,若 Dirac 节点的动量满足某些例外条件,该反常会以非平庸的方式消失。

关键词

引用

@article{arxiv.2103.09841,
  title  = {Unquantized anomalies in topological semimetals},
  author = {Lei Gioia and Chong Wang and A. A. Burkov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2103.09841},
  year   = {2021}
}

备注

19 pages, 6 figures; RevTex4.1, v2: updated references, corrected typos