嵌入式拓扑半金属
介观与纳米尺度物理
2022-05-12 v2
摘要
拓扑半金属,如 Dirac、Weyl 或线节点半金属,是以其节点能带结构与表面态为特征的无能隙物质态。在本工作中,我们考虑 维的分层(拓扑平庸)绝缘系统,其由耦合的 维拓扑半金属多层组成。尽管是名义上的体绝缘体,我们表明具有余维 的晶体缺陷可在平庸绝缘背景中容纳稳健的低维拓扑半金属。作为一个例子,我们展示缺陷束缚的拓扑半金属可局域在堆垛层错与部分位错上。最后,我们提出如何通过引入磁场并在否则有能隙的系统中于低能处分辨相对论无质量 Dirac Landau 能级谱,从而在实验中识别嵌入式拓扑 Dirac 半金属。
引用
@article{arxiv.2108.07813,
title = {Embedded Topological Semimetals},
author = {Saavanth Velury and Taylor L. Hughes},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.07813},
year = {2022}
}
备注
Published Version