量化材料与结电阻在纳米网络中的贡献
介观与纳米尺度物理
2023-11-29 v1
摘要
纳米线与纳米片的网络在印刷电子的许多应用中十分重要。然而，网络电导率与迁移率通常受颗粒间结电阻限制，该性质因难以测量而难以最小化。在此，我们发展了用于一维或二维纳米材料网络传导的简单模型，使我们能从导电与半导体材料的粒径依赖直流电阻率数据中提取结电阻与纳米颗粒电阻。我们发现多孔网络中的结电阻随纳米颗粒电阻率变化，从银纳米片的5 Ohm到WS2纳米片的25 GOhm不等。此外，我们的模型允许从半导体网络的交流阻抗谱中提取结电阻与纳米颗粒电阻。阻抗数据将电化学剥离MoS2纳米片对齐网络的高迁移率（~7 cm2/Vs）与约670 kOhm的低结电阻联系起来。温度依赖阻抗测量使我们首次定量区分纳米片内声子限制的能带型输运与纳米片间跳跃输运。
引用
@article{arxiv.2311.16740,
title = {Quantifying the contribution of material and junction resistances in nano-networks},
author = {Cian Gabbett and Adam G. Kelly and Emmet Coleman and Luke Doolan and Tian Carey and Kevin Synnatschke and Shixin Liu and Anthony Dawson and Domhnall OSuilleabhain and Jose Munuera and Eoin Caffrey and John B. Boland and Zdenek Sofer and Goutam Ghosh and Sachin Kinge and Laurens D. A. Siebbeles and Neelam Yadav and Jagdish K. Vij and Muhammad Awais Aslam and Aleksandar Matkovic and Jonathan N. Coleman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.16740},
year = {2023}
}
备注
5 figures