R-Ising：随机磁性纳米线网络中的有效电阻

磁性纳米线的随机组装体代表了一类独特的材料，在自旋电子学和信息存储领域具有广阔的应用前景。由于纳米线之间的磁偶极相互作用与由磁性隧道结（MTJs）处的隧穿势垒控制的电子输运特性相结合，这些组装体表现出复杂的行为。这些现象之间错综复杂的相互作用使得磁性纳米线网络的研究成为一个丰富的领域。在本研究中，我们建立了一个理论框架来分析随机磁性纳米线网络的电阻行为。通过结合图论方法和平均场理论，我们推导出一个有效电阻模型，该模型概括了纳米线之间磁相互作用的贡献。我们的发现表明，在非晶电阻器件的设计和优化中，同时考虑纳米线网络的磁学和电学特性至关重要。