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拓扑绝缘体纳米线中的无序效应

介观与纳米尺度物理 2021-08-20 v5 无序系统与神经网络

摘要

具有量子化表面子能带谱的三维拓扑绝缘体(TI)纳米线作为马约拉纳束缚态(MBS)器件的主要组成部分被研究。然而,已知此类纳米线具有较大浓度 N1019N \sim 10^{19} cm3^{-3} 的库仑杂质。人们认为,仅当随机库仑势的长程涨落振幅 Γ\Gamma 小于子能带间隙 Δ\Delta 时,MBS 器件才能工作。在此,我们计算了近期实验研究的大介电常数 (Bi1x_{1-x}Sbx_x)2_2Te3_{3} 纳米线处于小介电常数环境(无超导体)中的 Γ\Gamma。我们表明,由这种介电常数对比所提供的、杂质电场在纳米线内的限制,使得更远的杂质也能对 Γ\Gamma 产生贡献,导致 Γ3Δ\Gamma \sim 3\Delta。我们还计算了由于库仑杂质和中性杂质散射引起的 TI 纳米线电阻随费米能级和载流子浓度的变化,并在 N1018N \gtrsim 10^{18} cm3^{-3} 时未发现有可观测的与离散子能带谱相关的振荡。

关键词

引用

@article{arxiv.2105.05390,
  title  = {Disorder effects in topological insulator nanowires},
  author = {Yi Huang and B. I. Shklovskii},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2105.05390},
  year   = {2021}
}

备注

7 pages, 3 figures