为何拓扑绝缘体的体电阻率如此之小？
介观与纳米尺度物理
2012-10-31 v2 无序系统与神经网络
材料科学
摘要
原生生长的拓扑绝缘体（TIs）通常是重掺杂的 型晶体。虽然通过受主补偿可将费米能级移至带隙中间，但即便如此，拓扑绝缘体的体电阻率仍然小得令人沮丧。我们表明，这种小电阻率是由随机库仑势中屏蔽不良的涨落引起的能带弯曲所致。通过对完全补偿的拓扑绝缘体进行数值模拟，我们发现体电阻率的激活能仅为带隙的 0.15 倍，这与实验数据吻合良好。在较低温度下，激活输运会转变为具有较大局域化长度的变程跃迁。
引用
@article{arxiv.1208.4601,
title = {Why is the bulk resistivity of topological insulators so small?},
author = {Brian Skinner and Tianran Chen and B. I. Shklovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.4601},
year = {2012}
}
备注
4+ pages, 3 figures; published version