Kondo 绝缘体中的电阻率饱和

重费米子绝缘体的电阻率通常在特征温度 $T^*$ 以下发生饱和。对于其中一些，来自非平庸体拓扑的金属表面态是剩余传导的可能来源。本文中，我们确立了另一种机制：在低温下，除电荷能隙外，散射率成为一个相关的能量尺度，使半经典 Boltzmann 图像失效。本征载流子的有限寿命限制了传导，强制存在一个交叉温度 $T^*$，并在其下方出现的量子区中——此时与能隙同等重要地——起控制作用。我们用 realistic 多体模拟展示了该机制，并阐明了 Kondo 绝缘体 Ce$_3$Bi$_4$Pt$_3$（其剩余传导为体性质）的饱和区在外加压力与不同无序度下的演化。利用我们为量子区推导的现象学公式，我们还解开了 SmB$_6$ 鲜被理解的体电导之谜——表明我们的机制广泛适用于关联窄能隙半导体。