具有时间反演对称性的相互作用保护拓扑绝缘体
强关联电子
2015-09-02 v2
摘要
研究了二维时间反演(TR)拓扑绝缘体(TI)边缘的安德森局域化。对于非相互作用情形，拓扑保护按照分类起作用，导致奇填充和偶填充分别对应于导电相和绝缘相。在存在排斥相互作用时，相图发生显著改变。我们表明，对于足够强的相互作用，TI的零温不动点为导电的，包括偶填充的情形。我们计算了不同填充和各类无序下的导电相边界。
引用
@article{arxiv.1505.05979,
title = {Interaction Protected Topological Insulators with Time Reversal Symmetry},
author = {Raul A. Santos and D. B. Gutman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.05979},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 4 figures, discussion about multiparticle processes added. Published version