有机金属晶格中的有机拓扑绝缘体
材料科学
2013-04-23 v1
摘要
拓扑绝缘体 (TIs) 是最近发现的一类材料，其具有绝缘的体态电子态和由非平凡拓扑区分的导电边界态。迄今为止，几代拓扑绝缘体已在理论上被预测并在实验中得到证实，但均基于无机材料。在此，基于第一性原理计算，我们预测了一类由有机金属晶格构成的二维有机拓扑绝缘体家族。这类新型有机拓扑绝缘体通过将具有强自旋轨道耦合的三苯基金属化合物分子构建单元组装成六方晶格而设计，显示出非平凡的拓扑边缘态，且对显著的晶格应变具有鲁棒性。我们展望有机拓扑绝缘体将极大地拓宽拓扑绝缘体的科学和技术影响。
引用
@article{arxiv.1304.5582,
title = {Organic Topological Insulators in Organometallic Lattices},
author = {Z. F. Wang and Zheng Liu and Feng Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.5582},
year = {2013}
}
备注
17 pages, 3 figures