高阶拓扑绝缘体与低维拓扑绝缘体的联系
强关联电子
2018-11-20 v3 介观与纳米尺度物理
材料科学
其他凝聚态物理
摘要
近年来，晶体对称性在丰富拓扑绝缘体(TI)种类中的作用得到了积极研究。高阶拓扑绝缘体是一类新型拓扑晶体绝缘体，其展现出的无隙边界态维度低于常规拓扑绝缘体表面的边界态维度。本文中，依托一个具体的紧束缚模型，我们展示了高阶拓扑绝缘体可在无体隙闭合或对称性破缺的情况下平滑连接到低维常规拓扑绝缘体。我们的结果支持将高阶拓扑绝缘体理解为以尊重所有晶体对称性的方式对低维拓扑绝缘体进行堆叠。
引用
@article{arxiv.1804.02794,
title = {Connecting higher-order topological insulators to lower-dimensional topological insulators},
author = {Akishi Matsugatani and Haruki Watanabe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.02794},
year = {2018}
}
备注
7 pages, 8 figures; v3: the version to appear in Phys. Rev. B