Au-和 Ge-掺杂 EuPd$_2$Si$_2$ 单晶的生长与性能

我们报告了使用佩尔施耐基法从富欧的熔体中生长 Eu(Pd$_{1-x}$Au$_x$)$_2$Si$_2$, $0< x\leq 0.2$的单晶。对样品的结构分析确认其为ThCr$_2$Si$_2$型结构,并且随着Au掺杂量增加,室温$a$和$c$晶格参数均呈现增加。化学分析显示,根据Au的掺杂程度,仅约有25-35%的初始熔体中可用Au被纳入晶体结构,导致掺杂水平随$x$增大而降低。通过Au掺杂施加化学压力,即使在较低的掺杂水平$x$下即可观察到价值交叉温度的显著变化。与之前的研究不同,我们在$x_{\rm nom}=0.1$或更高$x$值的样品中未发现任何一级相变迹象或反歧磁性有序。此外,我们观察到在熔体中Au含量较高时会形成四元次相.此外,我们成功生长了尺寸为立方毫米级的 EuPd$_2$(Si$_{1-x}$Ge$_x$)$_2$单晶,其中$x_{\rm nom}=0.2$。通过X射线荧光分析发现,这些晶体在Ge含量上存在轻微变化。这种微小的组成变化可能导致交叉温度或从交叉到磁性有序相变类型发生变化。我们还报告了一种新的正交相EuPd$_{1.42}$Si$_{1.27}$Ge$_{0.31}$,其在17K以下呈现抗磁性有序。