RFe$_2$Ge$_2$单晶的各向异性磁化、比热与电导率
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
我们使用Sn溶剂生长了R= Y和稀土系列十个成员（Pr, Nd, Sm, Gd-Tm, Lu）的RFeGe单晶。该方法产出干净、高品质的晶片， residual电导率和RRR数值分别在3-12 μΩ cm和20-90之间。这些晶体几乎不含磁性杂质或次相，允许研究每个化合物的本征各向异性磁行为。通过X射线衍射、温度和场依赖的磁化、比热和电导率进行表征。对于除Gd外的所有磁性稀土，观察到来自CEF效应的强烈各向异性。稀土重成员的抗磁有序在16.5 K (Nd)至1.1 K (Ho)之间发生，大致与重稀土的de Gennes因子相关。某些成员也存在低温过渡，伴随磁结构的变化。Tm在0.4 K以下未有序化，表现为van Vleck paramagnet。所有在2 K以上有序化的成员在场小于70 kOe时显示出2 K处的磁异过渡。计算得到的有效矩per稀土原子接近R^3+的预期自由离子值，除Sm外均如此。Sm在平衡态中表现出异常行为。该系列非磁性成员（Y, Lu）特征为异常大的电子比热系数（gamma ~ 60 mJ/mol K）和温度无关的介导率项（chi_0 ~ 0.003 emu/mol），提示费米面附近的态密度较大。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0305173,
title = {Anisotropic magnetization, specific heat and resistivity of RFe2Ge2 single crystals},
author = {M. A. Avila and S. L. Bud'ko and P. C. Canfield},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0305173},
year = {2009}
}
备注
34 pages, 13 figures, 1 table, submitted to J. Magn. Magn. Mater