CeAu2Ge2 的强各向异性磁相图
强关联电子
2011-10-05 v1
摘要
在Au-Ge助熔剂（AGF）和Sn助熔剂（SF）中生长了CeAu2Ge2单晶（四方ThCr2Si2结构）。X射线粉末衍射和EDX测量表明，在后一种情况下，助熔剂中的Sn原子掺入样品中，导致晶格常数比AGF样品减小约0.3%。对于两种类型的样品，在平行和垂直于c方向的磁场B中，观察到磁化强度M的强各向异性，在略高于10 K的低场中，M||/M^{\bot} ~ 6-7。这种各向异性在高场和高温下仍然保持，并可通过晶体电场效应定量解释。反铁磁有序在约10 K时出现，与先前在多晶样品中发现的一致。根据单晶的磁化数据，我们获得了AGF和SF样品的相图。磁性质强烈依赖于所使用的助熔剂。AGF样品表现出指示多个磁相变的复杂行为，而SF样品则采用更简单的反铁磁结构，具有单个自旋翻转相变。这种由Sn杂质形式的无序诱导的更有序状态的影响，在ANNNI模型内得到了定性解释，该模型假设铁磁和反铁磁相互作用，与先前Loidl等人[Phys. Rev. B 46, 9341, (1992)]在多晶CeAu2Ge2的中子散射实验中推断的磁结构一致。
引用
@article{arxiv.1109.1665,
title = {Strongly Anisotropic Magnetic Phase Diagram of CeAu2Ge2},
author = {V. Fritsch and P. Pfundstein and P. Schweiss and E. Kampert and B. Pilawa and H. v. L öhneysen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.1665},
year = {2011}
}
备注
7 pages, 9 figures