超薄锰氧化物薄膜中微妙的竞争电子态
材料科学
2017-02-28 v1
摘要
我们研究了 La2/3Sr1/3MnO3 (LSMO) 薄膜的电输运性质与 SrTiO3 (STO) 衬底在 Ts = 105 K 处的结构相变之间的耦合。我们发现 LSMO 薄膜的电阻率在 Ts 处呈现尖点，通过将薄膜调节到金属和绝缘相的边缘，即两种微妙竞争电子态的边界，该尖点被极大放大。我们的结果表明，少量的应变可以打破竞争相互作用的微妙平衡，并调节关联电子材料中的电子性质。
引用
@article{arxiv.1701.07933,
title = {Delicate competing electronic states in ultrathin manganite films},
author = {Zhaoliang Liao and Rongying Jin and E. W. Plummer and Jiandi Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.07933},
year = {2017}
}
备注
Accepted by Phys. Rev. B