一种用于神经形态计算且具有浮栅工程的 MoS2 高性能突触器件
应用物理
2019-04-09 v1 介观与纳米尺度物理
新兴技术
摘要
作为二维硫族化物家族最重要的成员之一，二硫化钼（MoS2）在低维电子、光电子与压电设计中发挥了基础性作用。在此，我们展示一种利用二维 MoS2 浮栅存储器制备固态突触晶体管的新方法。通过采用扩展浮栅结构，使器件在四个数量级的漏极电流范围内以近理想的 77 mV/十倍频程亚阈值摆幅工作，我们实现了一种基于电荷隧穿的突触存储器，其性能可与神经形态设计中的最先进水平相媲美。该器件成功展示了生物突触的多种特征，包括通道电导的脉冲增强与弛豫，以及尖峰时间依赖可塑性（STDP）。我们的器件具有优异的能效指标，并为未来神经形态应用提供了基于超薄二维纳米片的稳健平台。
引用
@article{arxiv.1904.03387,
title = {A high-performance MoS2 synaptic device with floating gate engineering for Neuromorphic Computing},
author = {Tathagata Paul and Tanweer Ahmed and Krishna Kanhaiya Tiwari and Chetan Singh Thakur and Arindam Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.03387},
year = {2019}
}