在内延异质结构中编码多态电荷序与手性
材料科学
2023-09-06 v3
摘要
高密度相变存储器（PCM）存储被提出用于具有多个中间电阻态的材料，这些电阻态因电荷密度波（CDW）相变而在 1-TaS 中被观测到。然而，导致该行为的亚稳性使得 TaS 器件中多态开关的出现不可预测。本文中，我们展示了纳米厚垂直侧向 -TaS/1-TaS 异质结构的制备，其中内延金属性 -TaS 单层的数量决定了近室温下 1-TaS 薄片中的电阻转变次数。此外，我们还在 CDW 超晶格结构中观察到光学活性的异手性，其随电阻阶跃协同调制，并展示了如何利用应变工程来成核这些多型转变。该工作将内延异质结构原理定位为结构、手性与电阻的可靠、非易失且多级开关的有前景的概念框架。
引用
@article{arxiv.2303.04387,
title = {Encoding multistate charge order and chirality in endotaxial heterostructures},
author = {S. Husremović and B. H. Goodge and M. Erodici and K. Inzani and A. Mier and S. M. Ribet and K. C. Bustillo and T. Taniguchi and K. Watanabe and C. Ophus and S. M. Griffin and D. K. Bediako},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.04387},
year = {2023}
}