Zr/ZrO2-NT/Au 层状结构的单向突触状行为
材料科学
2019-06-18 v1 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
通过恒电位阳极氧化合成了外径 25 nm 的氧化锆纳米管层。采用模板掩模与磁控溅射技术制备了 Zr/ZrO2-NT/Au 忆阻结构。在施加谐波电压参数变化下，测量了阻变完整周期中的电流-电压特性。提出了所研究结构具有单向导电性的等效电路。估算了忆阻器在高阻态与中阻态下的电阻。展示了基于 Zr/ZrO2-NT/Au 结构的忆阻器的高突触可塑性。
引用
@article{arxiv.1906.06549,
title = {Unidirectional Synapse-Like Behavior of Zr/ZrO2-NT/Au Layered Structure},
author = {A. S. Vokhmintsev and R. V. Kamalov and A. V. Kozhevina and I. A. Petrenyov and N. A. Martemyanov and I. A. Weinstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.06549},
year = {2019}
}
备注
4 pages, 4 figures, 14 references; Keywords: memristor, zirconia nanotubes, anodization, resistive switching