阻变存储器中的简并阻变与超高密度存储
材料科学
2015-06-22 v1 介观与纳米尺度物理
新兴技术
信息论
math.IT
摘要
我们展示，在氧化钽阻变存储器中，激活功率为信息存储提供了一个多级变量，可以与电阻分开设置和读取。这两个状态变量（电阻和激活功率）可以通过两步精确控制：（1）通过部分降低电阻来选择可能的激活功率状态，然后（2）随后部分增加电阻来指定电阻状态和最终激活功率状态。我们展示这些状态可以被精确地电写入和读取，使得这种方法可能适用于超高密度存储器。我们为从激活功率中存储和检索信息提供了理论解释，并实验证明了与电阻相关的激活功率变化中的第三维信息存储。
引用
@article{arxiv.1406.4033,
title = {Degenerate Resistive Switching and Ultrahigh Density Storage in Resistive Memory},
author = {Andrew J. Lohn and Patrick R. Mickel and Conrad D. James and Matthew J. Marinella},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.4033},
year = {2015}
}