具有类晶体管结构的 YBa2Cu3O7-x 器件中的忆阻效应
超导电性
2023-06-22 v1 应用物理
摘要
铜氧化物超导体对无序和氧化学计量极度敏感；即便这些参数的微小变化也会剧烈改变其电子性质。此处我们利用该特性来设计一种基于高 超导体 YBa2Cu3O7-x（YBCO）的忆阻器件，其中利用氧含量的局部变化和诱导无序来产生记忆效应。这些效应在一个三端器件中通过电触发，其结构让人联想到晶体管，由 YBCO 沟道和 Al 栅极组成。控制栅极电导的 Al/YBCO 界面显示出巨大的、双极的、可逆的开关，跨越跨越两个数量级的连续非易失电导态。该现象由栅极电压大小控制，并由 YBCO 与 Al 之间的氧交换引起。同时，沟道显示出逐渐的、不可逆的超导体-绝缘体转变，保留了器件中耗散功率的记忆，并可由诱导的体无序解释。观察到的效应及对底层机制间相互作用的理解，构成了用于设计和实现新型忆阻器与超导电子学开关的有趣要素。
引用
@article{arxiv.2306.12373,
title = {Memristive effects in YBa2Cu3O7-x devices with transistor-like structure},
author = {Aurélien Lagarrigue and Carolina de Dios and Salvatore Mesoraca and Santiago Carreira and Vincent Humbert and Javier Briatico and Juan Trastoy and Javier E. Villegas},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.12373},
year = {2023}
}