KTaO_3 基界面处的栅极浸入记忆与光致超导性抹除
超导电性
2025-12-23 v1
摘要
实现对超导性的非易失控制是未来信息技术集成记忆与量子功能的关键步骤。KTaO_3 基异构结构独特地拥有界面二维超导性和量子介电晶格背景。这种两种自由度之间的耦合可能提供了将记忆直接编码到超导态中的可行路径。本文揭示了 AlO_x/KTaO_3 异构结构中两种相互交织的现象：一种在逐步静电循环中增强超导临界温度的栅极历史记忆，以及在低温光照下完全抹除的记忆。这些现象源于超导界面与新出现的晶格激发之间的此前未认识的相互作用——包括极性纳米区重新定向和氧空位电离。这些结果表明在相关氧化物界面处实现可重构且非易失的超导性，为结合无耗传输与非易失性功能开辟了面向超导神经形态器件的路径。
引用
@article{arxiv.2512.19052,
title = {Gate-imprinted memory and light-induced erasure of superconductivity at KTaO_3-based interfaces},
author = {Zhihao Chen and Pengxu Ran and Jiexiong Sun and Fengmiao Li and Zhixin Yao and Lei Liu and Juan Jiang and Zhi Gang Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.19052},
year = {2025}
}