氧空位动力学在 $TaO_{2-h}$/$Ta_{2}$$O_{5-x}$ 记忆器界面中的研究
介观与纳米尺度物理
2024-06-21 v1
摘要
氧空位(OV) 在金属氧化物中普遍存在，并在氧化物基记忆器器件的开关行为中发挥关键作用。本文通过实验和理论模拟相结合的方法，研究 Pt/TaO_{2-h}/Ta_{2}O_{5-x}/TaO_{2-y} 器件中氧空位的动力学。特别关注由电脉冲引发的RESET 过渡（从低电阻到高电阻），通过选择不同的初始氧空位配置，研究该过程中的动力学行为。我们证明，通过选择特定的氧空位配置，可以调节RESET 的特征时间尺度。最后，我们表明，通过施加多个（小）连续脉冲实现的渐进RESET，允许估计氧空位电迁移过程中涉及的活化能。我们的结果为以氧空位工程为目标，优化关键记忆器参数（如开关速度或功耗）提供了途径，这些参数在神经形态计算或存储计算中具有高度重要性。
引用
@article{arxiv.2406.13676,
title = {Oxygen vacancies kinetics in $TaO_{2-h}$/$Ta_{2}$$O_{5-x}$ memristive interfaces},
author = {C. Ferreyra and R. Leal Martir and D. Rubi and María José Sánchez},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.13676},
year = {2024}
}
备注
preprint 19 pages, 6 figures. Supp. Material under request