Pt/CuOx/Si/Pt 系统中的非丝状忆阻开关效应
材料科学
2013-07-23 v1
摘要
我们报道了在室温下通过射频溅射技术制备的 Pt/CuOx/Si/Pt 器件中的忆阻开关效应。与其他基于铜的开关系统不同，该器件表现出非丝状开关效应。在电流 - 电压和电容特性中观察到以电阻增加和电容减小为特征的渐进式电形成过程。通过俄歇电子能谱分析，分别提出了基于铜离子和氧空位漂移以及 CuOx/Si 界面处 SiOx 层厚度变化的模型，以解释忆阻开关和渐进式电形成现象。本工作对于制备无形成过程且均匀的忆阻器件具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1304.4078,
title = {Non-filamentary memristive switching in Pt/CuOx/Si/Pt systems},
author = {L. L. Wei and D. S. Shang and J. R. Sun and S. B. Lee and Z. G. Sun and B. G. Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.4078},
year = {2013}
}
备注
17 pages, 8 figures