低频信号对纳米级忆阻器器件的影响
应用物理
2017-12-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在本报告中，我们研究了低频信号对纳米级忆阻器器件的影响。频率从 2 Hz 变化到 10 Hz，并研究了其对电流-电压特性、时域状态变量、电荷-磁通关系、忆阻-电荷关系、忆阻-电压特性和忆阻-磁通关系的相应影响。结果清楚表明，输入激励的频率在器件动力学中起着重要作用。
引用
@article{arxiv.1712.01865,
title = {Effect of Low-Frequency Signal On Nanoscale Memristor Device},
author = {T. D. Dongale and S. R. Ghatage},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.01865},
year = {2017}
}
备注
8 Pages; 5 Figures