伽马辐射对扩散型忆阻器器件电学特性的影响

扩散型忆阻器因能够模拟生物神经元从而助力类脑计算技术的发展而持续受到极大关注。扩散型忆阻器的一个主要问题是无可靠控制导电细丝的形成，这影响了器件功能性以及每次施加电压后状态的复现性。本文中，我们研究了伽马辐射对基于介电基质中金属纳米颗粒的扩散型忆阻器电学特性的影响。实验表明，辐照后，忆阻器在电流-电压特性中表现出更尖锐（且噪声更低）的滞回，同时保持与原始样品相同的低阻态和高阻态。此外，辐射降低了分别对应低阻态和高阻态起始的阈值电压和保持电压。提出的机制涉及二氧化硅基质中辐射诱导的缺陷，其有助于建立纳米颗粒形成导电细丝的主导通路。我们的发现提出了一种增强扩散型忆阻器工作特性并改善其复现性的有效途径。