银基记忆体器件中光致缺陷的形成

光学记忆体是一种创新设备，使电光功能（如光调制、多级光学存储和非易失重编程）能够集成到神经形态网络中。最近，其能力通过光致发光记忆体的开发得到扩展，这些记忆体通过各种发射机制实现。其中一种显著过程涉及在器件激活期间在开关矩阵中生成的缺陷的电致发光。在本研究中，我们探讨了银基平面记忆体中负责光发射物种的早期形成与演化。我们的ethods 结合了电气刺激与相关的光电致发光和光致发光测量。所得结果为控制记忆体中的发射过程提供了宝贵的见解，为将其作为神经形态电路中的关键组件铺设了道路。