集成电路封装对忆阻器器件突触动态的影响
新兴技术
2018-09-28 v1
摘要
忆阻器可用作非易失性存储器（NVM）并模拟神经元行为。它能够在低电阻 与高电阻值 之间切换，并展现如增强和抑制之类的突触动态行为。本文给出四方扁平封装（Quad Flat Pack）中忆阻器增强与抑制的研究。利用实测数据与等效电路模型，对受封装寄生参数影响与不受其影响的忆阻器进行了比较。SPICE 仿真中忆阻器与封装模型的参数由实测数据确定，以反映四方扁平封装中的忆阻器寄生参数。
引用
@article{arxiv.1809.10434,
title = {Impact of Integrated Circuit Packaging on Synaptic Dynamics of Memristive Devices},
author = {Aidana Irmanova and Grant A. Ellis and Alex Pappachen James},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.10434},
year = {2018}
}