纳米图案化坡莫合金Kagomé阵列中的忆阻效应
统计力学
2022-09-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究Kagomé纳米图案化坡莫合金中的忆阻效应。我们观察到在低频下存在热敏电阻效应，这是一种由光刻引起的现象，在类似薄膜实验中不存在。然而，我们也通过独立的各向异性磁阻研究证明，占该效应1%的小迟滞不能归因于热敏效应。这种效应也通过邻近热迟滞之间的仔细相减方案得到确认。在毫赫兹 regime，提供了一个有效模型来描述热敏电阻的实验结果，表明对于纳米图案化坡莫合金，应从毫赫兹到吉赫兹、从热敏电阻到忆阻效应发生交叉。
引用
@article{arxiv.2201.11200,
title = {Memristive effects in nanopatterned permalloy Kagom\'{e} array},
author = {Wesley B. J. Fonseca and Flavio Garcia and Francesco Caravelli and Clodoaldo I. L de Araujo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.11200},
year = {2022}
}
备注
9 pages, 5 figures