深亚微米 MOSFET 统计低频噪声建模
其他凝聚态物理
2009-11-10 v1
摘要
本文对深亚微米 MOSFET 的低频噪声（LF-noise）进行了实验研究，重点关注与良率相关的参数散射。提出了一种包含对统计效应详细考虑的新型建模方法。该模型基于器件物理参数，这些参数导致了单个器件低频噪声行为的统计涨落。该模型可方便地实现于紧凑模型中，以用于电路仿真工具。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409030,
title = {Modelling of Statistical Low-Frequency Noise of Deep-Submicron MOSFETs},
author = {Gilson I Wirth and Jeongwook Koh and Roberto da Silva and Roland Thewes and Ralf Brederlow},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409030},
year = {2009}
}
备注
32 pages, 7 figures