电压控制磁阻随机存取存储器中从写入错误到保持错误转变的特征时间

电压控制磁阻随机存取存储器(VC MRAM)是未来低功耗高密度存储器的有力候选。VC MRAM 中位错误的主要原因是写入错误和保持错误。随着存储单元尺寸减小，数据保持时间减少，这导致在特定工作时间从写入错误主导区转变到保持错误主导区。此处我们引入从写入错误主导区到保持错误主导区的转变特征时间，并分析该特征时间如何依赖于有效各向异性常数 $K_{0}$。特征时间近似表示为 $t_{\rm c} = 2\, w\, \tau$，其中 $w$ 为写入错误率，$\tau$ 为 Kalmkov [J. Appl. Phys. 96, (2004) 1138-1145] 导出的弛豫时间。我们表明对于大的 $K_{0}$，$t_{\rm c}$ 随 $K_{0}$ 增大而增大，类似于 $\tau$。该特征时间是设计用于机器学习和人工智能等多种应用的 VC MRAM 的关键参数。