基于通道量化的自旋力矩传输磁随机存取存储器 (STT-MRAM) 的并集 bound 分析
信息论
2024-10-08 v1 math.IT
摘要
作为一种新兴的非易失性存储器 (NVM) 技术，自旋力矩传输磁随机存取存储器 (STT-MRAM) 因其低开关能耗、快速读写速度和高可扩展性等特点，近年来受到广泛关注。然而，工艺变异和热波动严重影响 STT-MRAM 的数据完整性，导致写入错误和读取错误。因此，对有效的错误更正码 (ECC) 至关重要，以纠正存储单元错误。同时，通道量化器的设计在支持 STT-MRAM 的错误更正编码方面发挥着关键作用。本文提出了一种并集 bound 分析方法，可准确预测基于最大似然 (ML) 解码的 ECC 在量化 STT-MRAM 通道上的词错误率 (WER)。导出的界限为在不依赖冗长计算机仿真的情况下，比较不同量化方案下的 ECC 性能提供了理论工具。此外，我们还提出了一种新的准则，用于设计通道量化器，通过最小化由并集 bound 分析得到的 ECC 解码 WER。数值结果表明，所提出的并集-优化 (UBO) 量化器在 STT-MRAM 方面的误码率性能优于当前最先进的量化器。
引用
@article{arxiv.2410.05164,
title = {Union Bound Analysis for Spin-Torque Transfer Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM) With Channel Quantization},
author = {Xingwei Zhong and Kui Cai and Guanghui Song},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.05164},
year = {2024}
}