基于 Fokker-Planck 方程的磁性与阻变随机存取存储器中随机现象建模方法
介观与纳米尺度物理
2021-12-15 v3
摘要
阻变随机存取存储器（RRAM）和自旋转移矩磁随机存取存储器（STT MRAM）等嵌入式非易失性存储技术正日益受到研究，以应用于神经形态计算与人工智能硬件加速器。然而，这些存储技术中的随机写入过程会影响其良率，且需与工艺偏差一并研究，这大幅增加了基于蒙特卡洛方法的良率分析复杂度。因此，我们提出一种基于 Fokker-Planck 方程的方法来建模 STT MRAM 与 RRAM 器件中的随机写入过程。此外，我们表明所提方法能够复现 STT-MRAM 与 RRAM 器件的实验结果。
引用
@article{arxiv.2105.03691,
title = {A Fokker-Planck Approach for Modeling the Stochastic Phenomena in Magnetic and Resistive Random Access Memory Devices},
author = {Debasis Das and Xuanyao Fong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.03691},
year = {2021}
}