反铁磁霍尔忆阻器

自旋忆阻器是一类可以通过控制自旋来存储记忆的材料，有可能催生解决标准硅电子学限制的新技术，从而促进更智能、更节能计算系统的发展。在这项工作中，我们提出了一种基于反铁磁材料的自旋忆阻器，该材料表现出霍尔忆阻。此外，非线性Edelstein效应同时充当记忆寄存器的写入器和擦除器。我们提供了一个基于对称性的通用分析，支持该效应的可行性。为了实现这些想法的具体实现，我们重点关注CuMnAs，该材料已被证明具有可控的非线性霍尔效应。我们的结果将通常在此类背景下作为标准器件类型的双端自旋忆阻器设置，扩展到了四端器件。