AB 堆叠双层石墨中的低场金-绝缘相变
介观与纳米尺度物理
2026-03-27 v1
摘要
我们研究了平面磁场和横向电场在 AB 堆叠双层石墨中的相互作用。在先前的工作中，我们证明了该配置可诱导大幅度的磁响应下的绝缘体-金属 (IM) 相变，但需要不切实际的大磁场。本文通过纳入 previously 被忽略的三角扭曲效应及其层间 skew 耦合，扩展了分析。在动量空间的受限区域（约占原始 Brillouin 区的 1/100）三角扭曲产生 Dirac 锥的细微分裂，导致无外部场时呈现补偿半金属态。施加横向电场后，若电压超过小阈值 ( meV)，绝缘体间隙便被重新开启；但当相对较小的平面磁场作用时，该间隙可被关闭，从而在远低于先前预测的磁场 ( T) 下实现 IM 相变。
引用
@article{arxiv.2603.24976,
title = {Low-Field Metal-Insulator Transition in AB-Stacked Bilayer Graphene},
author = {Amarnath Chakraborty and Aleksandr Rodin and Shaffique Adam and Giovanni Vignale},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.24976},
year = {2026}
}
备注
8 pages, 4 figures