碳化硅堆垛序致外延石墨烯中的掺杂变化
材料科学
2020-09-15 v1 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
通常认为，外延石墨烯中的费米能级由两个效应控制：六方 SiC(0001) 衬底体相诱导的 p 型极化掺杂，以及缓冲层相关类施主态的过补偿。本工作中，我们证明该效应还与特定的底层 SiC 台阶相关。我们制备了非全同 SiC 台阶的周期性序列，并明确归属于特定的 SiC 表面终止。实验观察到 SiC 终止与石墨烯电子特性之间的清晰关联，并通过多种互补的表面敏感方法予以证实。我们将此关联归因于 SiC 终止依赖的极化掺杂对上层石墨烯层的邻近效应。我们的发现为通过外延石墨烯及介电极性衬底上其他二维层的自图案化实现纳米级掺杂工程开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.2006.00359,
title = {Silicon carbide stacking-order-induced doping variation in epitaxial graphene},
author = {Davood Momeni Pakdehi and Philip Schädlich and T. T. Nhung Nguyen and Alexei A. Zakharov and Stefan Wundrack and Florian Speck and Klaus Pierz and Thomas Seyller and Christoph Tegenkamp and Hans. W. Schumacher},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.00359},
year = {2020}
}