无序诱导的石墨烯p-n结输运增强
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们研究了垂直磁场下石墨烯p-n结中的电子输运。通过结合Landauer-Büttiker形式与非平衡格林函数方法,研究了清洁样品和无序样品的电导。对于清洁的p-n结,电导非常小。在存在无序的情况下,电导被强烈增强,并在合适的无序范围内呈现出平台结构。我们的数值结果表明,最低平台可以在非常宽的无序强度范围内存活,但高平台的存在取决于系统参数,有时根本无法形成。当无序略微超出此无序范围时,仍可能出现一些电导平台,但其值低于理想值。这些结果与最近的实验非常吻合。
引用
@article{arxiv.0807.1578,
title = {Disorder-induced enhancement of transport through graphene p-n junctions},
author = {Wen Long and Qing-feng Sun and Jian Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.1578},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 5 figures, submit to PRL on May 20, 2008