石墨烯 n-p 结中的半经典磁输运
介观与纳米尺度物理
2011-11-08 v2
摘要
我们给出了量子霍尔区石墨烯 n-p 结中电子输运的半经典描述。已知该框架在实验中表现出电导平台，但其起源仍未完全理解。在磁区（E < vF B），我们证明激发态的电导基本为零，而基态的电导则取决于样品边缘所考虑的边界条件。在电区（E > vF B），对于阶跃型静电势（在磁长度尺度上突变），我们基于结界面处的各种蛇形轨迹，推导出电导的半经典近似。对于对称构型，一般结果可通过简单的散射方法恢复，从而为所研究的问题提供了清晰的分析。我们深入讨论了半经典方法预言的导电行为，并得出结论：任何使用完全相位相干电子的方法都难以解释实验观测到的电导平台。
引用
@article{arxiv.1106.5372,
title = {Semiclassical magnetotransport in graphene n-p junctions},
author = {Pierre Carmier and Caio Lewenkopf and Denis Ullmo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.5372},
year = {2011}
}
备注
22 pages, 19 figures