CoSi 单晶磁性质研究
强关联电子
2014-11-25 v1 材料科学
摘要
在温度 K 和磁场强度 kOe 范围内测量了 CoSi 单晶的磁性质。通过比较不同实验室生长的晶体结果，确定了假设的“理想”（无磁性杂质和缺陷）CoSi 晶体的磁化率温度依赖性 。该理想晶体的磁化率在整个温度范围内表现出抗磁性特征。 值的绝对值随温度降低而显著增加，并在所研究的最低温度下表现出饱和现象。对于四种类型的真实 CoSi 晶体，评估了对磁化率的顺磁贡献，并在 的计算中分离并考虑了对磁化的非线性（关于磁场）贡献。
引用
@article{arxiv.1411.6242,
title = {Studying the Magnetic Properties of CoSi Single Crystals},
author = {V. N. Narozhnyi and V. N. Krasnorussky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.6242},
year = {2014}
}
备注
PDF, 5 pages. 4 figures