对“钴硅化物 CoSi 中的自掺杂效应：电学、磁学、弹性和热力学性质”的评论
强关联电子
2013-04-18 v3
摘要
本评论指出，Stishov 等人 [Phys. Rev. B 86, 064433 (2012)] 错误地估算了所研究 CoSi 晶体中（假定）顺磁中心的浓度，其有效磁矩 。正确的估算表明，此类中心的浓度比报道值小 25 至 50 倍（约 0.04% 至 0.16%，而非约 2% 至 4%）。此外，关于在不同实验室制备的四种 CoSi 晶体的电阻率 温度依赖性报道数据，在 T = 250 至 300K 范围内彼此过于接近，以至于在任何合理的电阻率测量精度下都极不可能复现。这些问题及其他一些问题关系到作者论证的关键点。结果，他们的主要结论变得缺乏依据。
引用
@article{arxiv.1210.6219,
title = {Comment on "Self-doping effects in cobalt silicide CoSi: Electrical, magnetic, elastic, and thermodynamic properties"},
author = {V. N. Narozhnyi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.6219},
year = {2013}
}
备注
3 pages, 1 figure. Current version (modified in accord with referee's recommendations)